Les mémoires mortes

2.1 Les EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)

• Les EPROM sont des PROM pouvant être effacées. Ces puces possèdent une petite fenêtre de quartz permettant de laisser passer des rayons ultra-violets provenant d’un « effaceur d’Eprom » ou Brûleur d’Eprom ou Prommer.
• Lorsque la puce est en présence de rayons ultra-violets d’une certaine longueur d’onde, les liaisons sont reconstitués, c’est-à-dire que tous les bits de la mémoire sont à nouveau à 1. C’est pour cette raison que l’on qualifie ce type de PROM d’effaçable.

2.1.1. UVPROM (Ultraviolet Programmable Read Only Memory)


• Ce type de mémoire est placée dans un boîtier céramique avec fenêtre de quartz (windowed)
• Effaçable aux U.V.
• Effacement de la mémoire toute entière
• Constituée de transistors MOS dont la grille est isolée
• 10 à 20 minutes pour effacer sous une source d’U.V. (effaceur)
• Haute tension de programmation environ 12,5 à 25 volts
• Temps de programmation relativement long (environ 50 ms max. par octet, Ex : pour une 27256 soit 32 K Octet x 8 bits, il faut 32*1024*50ms = 1638s = 27 mn). Les constructeurs de mémoires développent des algorithmes de programmation rapide afin de diminuer le temps de programmation.

2.1.2. Les EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory)

• Les EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory) sont aussi des PROM effaçables, mais contrairement aux EPROM, celles-ci peuvent être effacées par un simple courant électrique
• C’est-à-dire qu’elles peuvent être effacées même lorsqu’elles sont en position dans l’ordinateur.

2.1.3. Les EEPROM flash



• Il existe une variante de ces mémoires appelée mémoires flash (également ROM Flash ou Flash EPROM).
• Contrairement aux EEPROM classiques, utilisant 2 à 3 transistors par bit à mémoriser, la Flash EPROM utilise un seul transistor.
• D’autre part l’EEPROM peut-être écrite et lue mot par mot, alors que la Flash ne peut être effacée que par pages (la taille des pages étant en constante diminution).
• Enfin la densité de la mémoire Flash est plus importante, ce qui permet la réalisation de puces contenant plusieurs centaines de Mégaoctets.
• Des EEPROM sont ainsi préférentiellement utilisées pour la mémorisation de données de configuration et la mémoire Flash pour du code programmable (programmes informatiques).
• La mémoire flash est un type d’EEPROM qui permet la modification de plusieurs espaces mémoires en une seule opération.
• Cette mémoire est donc plus rapide lorsque le système doit écrire à plusieurs endroits en même temps.
• La mémoire flash utilise comme cellule de base un transistor MOS possédant une grille flottante enfouie au milieu de l’oxyde de grille, entre le canal et la grille.
• L’information est stockée grâce au piégeage d’électrons dans cette grille flottante. Deux mécanismes sont utilisés pour faire traverser l’oxyde aux électrons :
• l’injection d’électrons chauds ;
• l’effet tunnel obtenu en appliquant une haute tension sur la « vraie » grille (appelée grille de contrôle).

2.2. OTP MEMORY (One Time Programmable MEMORY)

• Programmable une seule fois à l’aide d’un programmateur (Rem : On utilise souvent le terme PROM pour l’ensemble (PROM, FPROM, OTP).
• Mémoire en technologie MOS
• Souvent c’est une UVEPROM mais en boîtier plastique sans fenêtre de quartz (Le coût en est ainsi réduit).
• Elles remplacent donc les UVPROMs lors d’une production en grande série après avoir développé une pré série avec des UVPROMs.
• Elles sont compatibles broches à broches avec les UVPROMs.

2.3. PROM à fusibles ou FPROM (Programmable Read Only Memory ou Fuse PROM)

• ou Field-Programmable Read-Only Memory
• Réalisée à partir de transistors bipolaires dont leurs liaisons entre l’émetteur et la colonne sont effectuées par l’intermédiaire d’un fusible.