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Architecture des ordinateurs

Les mémoires mortes

Un cours complet pour maîtriser Les mémoires mortes.

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  1. Objectifs

    • Connaitre les types de mémoires mortes et leurs caractéristiques.
  2. Définitions

      Les mémoires mortes
    • La mémoire ROM (read only memory), que l’on nomme en français « mémoire morte ou mémoire à lecture seule », est un type de mémoire capable de stocker des données de façon permanente. C’est une mémoire qui ne peut qu’être lue.
    • Une mémoire morte est une mémoire utilisée pour enregistrer des informations qui ne doivent pas être perdues lorsque l'appareil, qui les contient, n'est plus alimenté en électricité.
    • La mémoire morte (ROM), en anglais, Read-Only Memory est une classe de support de stockage utilisée dans les ordinateurs et autres appareils électroniques.
    • Avec l'évolution des technologies, la définition du terme mémoire morte (en français) ou read only memory (en anglais) a été élargie, pour inclure les mémoires non volatiles dont le contenu est fixé lors de leur fabrication.
    • , qui peuvent être lues plusieurs fois par l'utilisateur et qui ne sont pas prévues pour être modifiées.
    • La mémoire ROM (Read Only Memory) est une mémoire permanente, non volatile et en lecture seule.
    • Le contenu d’une mémoire ROM ne s’efface pas quand l’ordinateur est mis hors tension, c’est une mémoire qui conserve les données qui y sont inscrites quand l’ordinateur n’est plus sous tension.
  3. Description

    • Les données stockées dans la ROM ne peuvent pas être modifiées, ou peuvent être modifiées seulement lentement ou avec difficulté.
    • Parce que les données stockées dans la ROM ne peuvent pas être modifiées (au moins pas très rapidement ou facilement), c'est principalement utilisé pour distribuer le firmware.
    • Les PROM ont été mises au point à la fin des années 70 par la firme Texas Instruments.
    • Ces mémoires sont des puces constituées de milliers de fusibles pouvant être "grillés" grâce à un appareil appelé programmateur de ROM, envoyant un fort courant (12V) dans certains fusibles.
    • Ainsi, les fusibles grillées correspondent à des 0, les autres à des 1.
    • C'est un circuit dit mémoire dont son contenu peut être programmé par l' utilisateur mais qui ne peut plus être effacé ni modifié.
  4. Les différents types de mémoire mortes

    • Les ROM ont petit à petit évolué de mémoires mortes figées à des mémoires programmables, puis reprogrammées.
    1. La mémoire morte standard ROM (Read Only Memory)

      • Pour laquelle, il n’est pas possible d’écrire.
      • C'est un circuit dont le contenu à été programmé à sa fabrication et qui ne peut plus être effacé ni modifié. Une mise à jour de son contenu implique donc un remplacement du circuit.
      • Le coût relativement élevé de leur fabrication impose une fabrication en grande série. Au départ, ces mémoires étaient utilisées pour stocker les parties bas-niveau du système d'exploitation de l'ordinateur (BIOS du PC par exemple).
      • Une ROM est composée d'une grille dont les lignes sont reliées aux colonnes par des diodes (ou des transistors).
      • L'adresse sélectionne une ligne. Le nombre de lignes donne la capacité en mots de la ROM.
      • La donnée est reçue sur les colonnes. Le nombre de colonnes fixe la taille du mot mémoire.
      • Ainsi une mémoire de 1024 octets aura donc 1024 lignes et 8 colonnes.
    2. Les PROM (Programmable Read Only Memory)

      • Les PROM (Programmable Read Only Memory) ont été mises au point à la fin des années 70 par la firme Texas Instruments.
      • Il s'agit d'une ROM dont le contenu est crée par un utilisateur à l'aide d'un programmateur de PROM (ou brûleur).
      • Au départ la puce ne renferme que des «1» et le brûleur transforme les «1» en «0» Ces composants, identiques à l'usage à la ROM, concernent des petites séries ou des essais.
      • Ces mémoires sont des puces constituées de milliers de fusibles pouvant être "grillés" grâce à un appareil appelé programmateur de ROM, envoyant un fort courant dans certains fusibles. Ainsi, les fusibles grillées correspondent à des 0, les autres à des 1.
      • Peut être écrite ou programmée via un dispositif spécial appelé programmeur PROM. Typiquement, ce dispositif utilise des tensions élevées pour détruire définitivement ou créer des liens internes (fusibles ou anti-fusibles) dans la puce. Par conséquent, une PROM ne peut être programmée qu'une seule fois.

        2.1 Les EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)

        [caption id="attachment_20721" align="alignright" width="220"]Les mémoires mortes Première mémoire EPROM d'Intel, la 1702 de 2 048 bits, organisée en 256 mots de 8 bits Source:fr.wikipedia.org[/caption]
      • Les EPROM sont des PROM pouvant être effacées. Ces puces possèdent une petite fenêtre de quartz permettant de laisser passer des rayons ultra-violets provenant d'un "effaceur d'Eprom" ou Brûleur d'Eprom ou Prommer.
      • Lorsque la puce est en présence de rayons ultra-violets d'une certaine longueur d'onde, les liaisons sont reconstitués, c'est-à-dire que tous les bits de la mémoire sont à nouveau à 1. C'est pour cette raison que l'on qualifie ce type de PROM d'effaçable.

        2.1.1. UVPROM (Ultraviolet Programmable Read Only Memory)

      • Ce type de mémoire est placée dans un boîtier céramique avec fenêtre de quartz (windowed)
      • Effaçable aux U.V.
      • Effacement de la mémoire toute entière
      • Constituée de transistors MOS dont la grille est isolée
      • 10 à 20 minutes pour effacer sous une source d'U.V. (effaceur)
      • Haute tension de programmation environ 12,5 à 25 volts
      • Temps de programmation relativement long (environ 50 ms max. par octet, Ex : pour une 27256 soit 32 K Octet x 8 bits, il faut 32*1024*50ms = 1638s = 27 mn). Les constructeurs de mémoires développent des algorithmes de programmation rapide afin de diminuer le temps de programmation.

      2.1.2. Les EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory)

      • Les EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory) sont aussi des PROM effaçables, mais contrairement aux EPROM, celles-ci peuvent être effacées par un simple courant électrique
      • C'est-à-dire qu'elles peuvent être effacées même lorsqu'elles sont en position dans l'ordinateur.

      2.1.3. Les EEPROM flash

        [caption id="attachment_20731" align="alignright" width="220"] Une clé USB. La puce de gauche est la mémoire flash, celle de droite le microcontrôleur.
        fr.wikipedia.org[/caption]
      • Il existe une variante de ces mémoires appelée mémoires flash (également ROM Flash ou Flash EPROM).
      • Contrairement aux EEPROM classiques, utilisant 2 à 3 transistors par bit à mémoriser, la Flash EPROM utilise un seul transistor.
      • D'autre part l'EEPROM peut-être écrite et lue mot par mot, alors que la Flash ne peut être effacée que par pages (la taille des pages étant en constante diminution).
      • Enfin la densité de la mémoire Flash est plus importante, ce qui permet la réalisation de puces contenant plusieurs centaines de Mégaoctets.
      • Des EEPROM sont ainsi préférentiellement utilisées pour la mémorisation de données de configuration et la mémoire Flash pour du code programmable (programmes informatiques).
      • La mémoire flash est un type d'EEPROM qui permet la modification de plusieurs espaces mémoires en une seule opération.
      • Cette mémoire est donc plus rapide lorsque le système doit écrire à plusieurs endroits en même temps.
      • La mémoire flash utilise comme cellule de base un transistor MOS possédant une grille flottante enfouie au milieu de l'oxyde de grille, entre le canal et la grille.
      • L'information est stockée grâce au piégeage d'électrons dans cette grille flottante. Deux mécanismes sont utilisés pour faire traverser l'oxyde aux électrons :
        • l'injection d'électrons chauds ;
        • l'effet tunnel obtenu en appliquant une haute tension sur la « vraie » grille (appelée grille de contrôle).

    2.2. OTP MEMORY (One Time Programmable MEMORY)

    • Programmable une seule fois à l’aide d’un programmateur (Rem : On utilise souvent le terme PROM pour l’ensemble (PROM, FPROM, OTP).
    • Mémoire en technologie MOS
    • Souvent c’est une UVEPROM mais en boîtier plastique sans fenêtre de quartz (Le coût en est ainsi réduit).
    • Elles remplacent donc les UVPROMs lors d’une production en grande série après avoir développé une pré série avec des UVPROMs.
    • Elles sont compatibles broches à broches avec les UVPROMs.

    2.3. PROM à fusibles ou FPROM (Programmable Read Only Memory ou Fuse PROM)

    • ou Field-Programmable Read-Only Memory
    • Réalisée à partir de transistors bipolaires dont leurs liaisons entre l'émetteur et la colonne sont effectuées par l'intermédiaire d'un fusible.